收藏本站
Si5933DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.6
0.5
V GS = 1.8 V
800
C iss
600
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
400
200
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 2.7 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 2.7 A
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.4
0.3
0.2
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 2.7 A
T J = 25 °C
0.1
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71238
S10-0936-Rev. E, 19-Apr-10
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI5935DC-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH 20V 1206-8
SI5943DU-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK
SI5975DC-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
SI5980DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V PPAK CHIPFET
SI6404DQ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
SI6413DQ-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
SI6423DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
SI6466ADQ-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
相关代理商/技术参数
SI5935CDC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5935CDC-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.0A 3.1W 100mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5935CDC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5935DC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI5935DC-T1 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI5935DC-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 1.8V (G-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5935DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 1206-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI5936DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6.0A 10.4W 30mOhm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube